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mobile dram
三星電子將引入VCT技術,未來2到3年推出新型DRAM產(chǎn)品
網(wǎng)絡與存儲
三星電子
VCT
DRAM
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2025-04-29
高速數(shù)據(jù)中心蓬勃發(fā)展,DRAM內(nèi)存接口功不可沒
網(wǎng)絡與存儲
數(shù)據(jù)中心
DRAM
|
2025-04-11
SK海力士首度超越三星!拿下DRAM季度營收第一:HBM市占率高達70%
網(wǎng)絡與存儲
SK海力士
三星
DRAM
|
2025-04-10
美光、SK海力士跟隨中!三星對內(nèi)存、閃存產(chǎn)品提價3-5%:客戶已開始談判新合同
網(wǎng)絡與存儲
內(nèi)存
DRAM
NAND
HBM
三星
美光
SK海力士
|
2025-04-07
下游客戶庫存去化順利,預計2Q25 DRAM價格跌幅將收斂
網(wǎng)絡與存儲
TrendForce
集邦咨詢
DRAM
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2025-03-26
美光1γ DRAM開始出貨,用上了EUV
網(wǎng)絡與存儲
美光1γ DRAM
|
2025-03-04
新型高密度、高帶寬3D DRAM問世
網(wǎng)絡與存儲
3D DRAM
|
2025-03-04
美光宣布1γ DRAM開始出貨:引領內(nèi)存技術突破,滿足未來計算需求
網(wǎng)絡與存儲
美光
1γ DRAM
DRAM
|
2025-02-27
消息稱三星芯片部門負責人攜1b DRAM樣品訪問英偉達
網(wǎng)絡與存儲
三星
芯片
1b DRAM
樣品
英偉達
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2025-02-18
SK海力士實現(xiàn)1c nm制程DRAM內(nèi)存量產(chǎn)
網(wǎng)絡與存儲
SK海力士
1c納米
DRAM
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2025-01-22
?三星旗艦Galaxy S25系列放棄自家內(nèi)存,美光成為首要供應商
?三星
Galaxy S25
內(nèi)存
美光
DRAM
LPDDR5X
|
2025-01-07
買方采購策略調(diào)整,1Q25 DRAM合約價走跌
網(wǎng)絡與存儲
DRAM
TrendForce
集邦咨詢
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2024-12-30
美國商務部向美光科技提供 61 億美元資金,用于在該國生產(chǎn)芯片
EDA/PCB
美國
美光科技
生產(chǎn)芯片
半導體
DRAM
內(nèi)存芯片
存儲芯片
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2024-12-11
提高下一代DRAM器件的寄生電容性能
電源與新能源
泛林集團
DRAM
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2024-11-21
在2025年DRAM位元產(chǎn)出增長下,供應商需謹慎規(guī)劃產(chǎn)能以保持盈利
網(wǎng)絡與存儲
DRAM
TrendForce
集邦咨詢
|
2024-11-14
北京君正:21nm DRAM新工藝預計年底推出
網(wǎng)絡與存儲
北京君正
21nm
DRAM
|
2024-11-14
郭明錤剖析英特爾 Lunar Lake 失敗原因
EDA/PCB
郭明錤
英特爾
Lunar Lake
DRAM
CPU
封裝
AI PC
LNL
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2024-11-06
鎧俠即將發(fā)布三大創(chuàng)新研究成果
網(wǎng)絡與存儲
鎧俠
存儲技術
DRAM
MRAM
3D堆疊
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2024-10-24
HBM對DRAM廠的貢獻逐季攀升
網(wǎng)絡與存儲
HBM
DRAM
TrendForce
|
2024-10-17
三星開發(fā)出其首款24Gb GDDR7 DRAM,助力下一代人工智能計算
網(wǎng)絡與存儲
三星
24Gb
GDDR7
DRAM
人工智能計算
|
2024-10-17
TrendForce:內(nèi)存下半年價格恐摔
網(wǎng)絡與存儲
TrendForce
內(nèi)存
DRAM
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2024-08-30
SK海力士成功開發(fā)出全球首款第六代10納米級DDR5 DRAM
網(wǎng)絡與存儲
SK海力士
第六代
10納米級
DDR5 DRAM
|
2024-08-29
第二季DRAM產(chǎn)業(yè)營收季增24.8%,預期第三季合約價將上調(diào)
網(wǎng)絡與存儲
DRAM
TrendForce
集邦咨詢
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2024-08-16
imec采用High-NA EUV技術 展示邏輯與DRAM架構
EDA/PCB
imec
High-NA
EUV
DRAM
|
2024-08-13
外媒:三星推出超薄型手機芯片LPDDR5X DRAM
手機與無線通信
三星
手機芯片
LPDDR5X DRAM
|
2024-08-07
HBM排擠效應 DRAM漲勢可期
網(wǎng)絡與存儲
HBM
DRAM
美光
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2024-07-18
圓滿收官!紫光國芯慕尼黑上海電子展2024展現(xiàn)科技創(chuàng)新實力
網(wǎng)絡與存儲
紫光國芯
慕尼黑電子展
DRAM
SeDRAM
CXL
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2024-07-11
內(nèi)存制造技術再創(chuàng)新,大廠新招數(shù)呼之欲出
網(wǎng)絡與存儲
HBM
3D DRAM
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2024-07-08
服務器支撐下半年需求,預估DRAM價格第三季漲幅達8-13%
網(wǎng)絡與存儲
服務器
DRAM
TrendForce
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2024-06-27
SK海力士5層堆疊3D DRAM新突破:良品率已達56.1%
網(wǎng)絡與存儲
SK海力士
3D DRAM
|
2024-06-26
云端CSPs將擴大邊緣AI發(fā)展,帶動2025年NB DRAM 平均搭載容量增幅至少達7%
網(wǎng)絡與存儲
云端
CSPs
邊緣AI
DRAM
TrendForce
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2024-06-26
HBM供應吃緊催生DRAM漲價 美光股價飆漲
網(wǎng)絡與存儲
HBM
DRAM
美光
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2024-06-25
美光后里廠火災 公司聲明營運未受任何影響
網(wǎng)絡與存儲
美光
DRAM
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2024-06-21
通用 DRAM 內(nèi)存仍供大于求,消息稱三星、SK 海力士相關產(chǎn)線開工率維持 80~90%
網(wǎng)絡與存儲
DRAM
閃存
三星
海力士
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2024-06-19
合約價勁漲護身 DRAM不怕淡季 Q1營收季增
網(wǎng)絡與存儲
存儲器
DRAM
TrendForce
|
2024-06-17
合約價上漲抵消淡季效應,推升DRAM第一季營收季增5.1%
網(wǎng)絡與存儲
淡季效應
DRAM
TrendForce
集邦咨詢
|
2024-06-13
南亞科技:首款 1C nm 制程 DRAM 內(nèi)存產(chǎn)品 16Gb DDR5 明年初試產(chǎn)
網(wǎng)絡與存儲
南亞科技
內(nèi)存
DRAM
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2024-05-30
美光計劃投資約300億元在日本新建DRAM廠
網(wǎng)絡與存儲
美光
DRAM
日本
EUV
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2024-05-29
HBM火熱效應 DRAM下半年 可望供不應求
網(wǎng)絡與存儲
HBM
DRAM
TrendForce
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2024-05-21
三星和SK海力士計劃今年下半年將停產(chǎn)DDR3
三星
SK海力士
內(nèi)存
DRAM
HBM
|
2024-05-16
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